Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 12.4 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

583-RM10N100LDV-T

Tillverk: Nr.:

RM10N100LDV-T

Tillverk:

Rectron

Beskrivning:

MOSFET:er

Datablad:

RM10N100LDV-T Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Rectron RM10N100LDV-T

På lager: 1 384

Lager:: 1 384 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	12,40 kr	12,40 kr
	7,62 kr	76,20 kr
	5,02 kr	502,00 kr
	3,95 kr	1 975,00 kr
	3,47 kr	3 470,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	2,95 kr	7 375,00 kr
	2,70 kr	13 500,00 kr
	2,61 kr	26 100,00 kr
	2,54 kr	63 500,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Rectron
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-2
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	100 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	10 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	130 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	21.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	40 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Rectron
Konfiguration:	Single
Falltid:	9.1 ns
Transkonduktans framåt - Min:	3.5 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	7.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	35 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RM10N100LDV-T Datablad (PDF)

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: Kina
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.