RM10N100LDV-T

Rectron
583-RM10N100LDV-T
RM10N100LDV-T

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
2 500
Förväntad 2026-05-05
Fabrikens ledtid:
26
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
11,55 kr 11,55 kr
7,18 kr 71,80 kr
4,69 kr 469,00 kr
3,60 kr 1.800,00 kr
3,36 kr 3.360,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
2,83 kr 7.075,00 kr
2,64 kr 13.200,00 kr
2,44 kr 24.400,00 kr
2,37 kr 59.250,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Rectron
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-252-2
N-Channel
1 Channel
100 V
10 A
130 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V
21.5 nC
- 55 C
+ 175 C
40 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Rectron
Konfiguration: Single
Falltid: 9.1 ns
Transkonduktans framåt - Min: 3.5 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 7.4 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 35 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 11 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.