S29CD016J Flash NOR Memory

Infineon Technologies S29CD016J Flash NOR Memory device is floating product fabricated on 110nm process technology. The S29CD016J flash memory is capable of performing simultaneous read and write operations with zero latency on two separate banks. The S29CD016J flash NOR memory operates up to 75MHz (32Mb) or 66MHz (16Mb) and uses a single device supply of 2.5VCC to 2.75VCC. The flash NOR devices are available with dual boot sector configuration, supports Common Flash Interface (CFI), and 20 years of data retention. The Infineon S29CDxJ burst flash device is ideal for demanding automotive applications.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Serie
Minnesstorlek
Minimal matningsspänning
Maximal matningsspänning
Aktiv ström vid läsning - Max
Gränssnittstyp
Maximal klockfrekvens
Organisation
Databussbredd
Timingtyp
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Kvalificering
Förpackning
Infineon Technologies NOR-flash PNOR
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 16 Veckor
Min.: 660
Multipla: 660

SMD/SMT PQFP-80 S29CL016J 16 Mbit 2.5 V 2.75 V 90 mA Parallel 66 MHz 512 k x 32 32 bit Asynchronous, Synchronous - 40 C + 125 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL064S80BHB040
Infineon Technologies NOR-flash Nor
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 3 380
Multipla: 3 380

SMD/SMT BGA-48 S29GL064S 64 Mbit 2.7 V 3.6 V 50 mA Parallel 8 M x 8 8 bit Asynchronous - 40 C + 105 C AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL128S90FHA023
Infineon Technologies NOR-flash Nor
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 10 Veckor
Min.: 1 600
Multipla: 1 600
Papprulle: 1 600

SMD/SMT BGA-64 S29GL128S 128 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 8 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C AEC-Q100 Reel