Resultat: 119
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
8 876Förväntad 2026-08-27
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
10 118På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er CONSUMER
Datablad
14 898På beställningen
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
16 975Förväntad 2026-10-22
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
2 999På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
Ledtid 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
2 992Förväntad 2027-02-18
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
741På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er CONSUMER
Datablad
1 490Förväntad 2026-09-30
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
1 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
500Förväntad 2027-07-15
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
1 500Förväntad 2026-08-31
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
500Förväntad 2026-08-21
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 22 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 19 Veckor
Min.: 1 500
Multipla: 1 500

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 52 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET:er LOW POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube