BST400D12P4A101

ROHM Semiconductor
755-BST400D12P4A101
BST400D12P4A101

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET-moduler half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 80

Lager:
80 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
27 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
5 589,80 kr 5 589,80 kr
4 722,72 kr 47 227,20 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: MOSFET-moduler
SiC
Press Fit
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
394 A
8.6 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.667 kW
Bulk
Märke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Dual
Falltid: 42 ns
Produkt: Power Module
Produkttyp: MOSFET Modules
Stigtid: 102 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 80
Underkategori: Discrete and Power Modules
Handelsnamn: EcoSiC
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 198 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 119 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Japan
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.