CoolMOS™ C7 Gold (g) - effekt-MOSFET:ar

Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Gold (g) - effekt MOSFET:ar är monterade i den nya  SMD TO-Leadless ()-kapslingen med hjälp av Kelvins källkoncept.  G7-MOSFET:ar kombinerar den förbättrade 600 V och 650 V CoolMOS™ G7 -tekniken, 4-stifts Kelvin-källkapacitet, och de förbättrade värmeegenskaperna hos den TO-Leadless kapslingen. Detta gör det möjligt för en SMD-lösning för hårdswitchande topologier för höga strömmar som strömfaktorkorrigering (PFC) upp till 3 kW. För 600V CoolMOS™ G7, kan MOSFET:arna användas för resonanskretsar som avancerade LLC.

Resultat: 12
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
3 968På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
1 735På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
1 462På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
Datablad
2 570På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
1 199På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 80 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 174 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER NEW
Datablad
1 143På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 141 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
23På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 1 700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
30På lager
2 000Förväntad 2027-02-25
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER NEW
Datablad
1 950Förväntad 2026-07-02
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 75 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 123 nC - 55 C + 150 C 391 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 8 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER_NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
: 2 000

Si CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET:er HIGH POWER NEW
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 15 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape