Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 12.21 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

512-FDMC8200

Tillverk: Nr.:

FDMC8200

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

MOSFET:er DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Datablad:

FDMC8200 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi FDMC8200

På lager: 2 141

Lager:: 2 141 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	12,21 kr	12,21 kr
	7,60 kr	76,00 kr
	5,04 kr	504,00 kr
	3,96 kr	1 980,00 kr
	3,58 kr	3 580,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	3,12 kr	9 360,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	Power-33-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	30 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	18 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	16 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1 V
Qg - Gate-laddning:	7.3 nC, 16 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1.9 W, 2.2 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	PowerTrench
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	TH
Falltid:	1.3 ns, 6 ns
Transkonduktans framåt - Min:	29 S, 56 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	3.1 ns, 4 ns
Serie:	FDMC8200
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	2 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	35 ns, 38 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	11 ns, 13 ns
Enhetens vikt:	186 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

FDMC8200 Datablad

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench^® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low R_DS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.

FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFETs

onsemi FDMS36xxS Power Stage Dual Asymmetric MOSFET modules provide a high output current capability in a 5mm x 6mm dual MOSFET solution. These modules incorporate control and synchronous MOSFET as well as a monolithic Schottky body diode in a PQFN package. The switch node has been internally connected to allow easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET are designed to deliver optimal power efficiency for output currents up to 30A. These onsemi devices are optimized to minimize the combination of conduction and switching losses from 300kHz to 600kHz, delivering reliable, highest power efficiency for point-of-load and multi-phase synchronous buck DC-DC applications.

FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

The onsemi FDMC8200 and FDMC8296 Dual N-Channel PowerTrench® MOSFETs are 30V, 9.5 mΩ, and 20 mΩ devices that include two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node of the onsemi FDMC8200 / FDMC8296 has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET and synchronous MOSFET in these onsemi devices are designed to provide optimal power efficiency. The FDMC8200 / FDMC8296 is optimized for use in mobile computing, mobile Internet devices, and general purpose point of load applications.