Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NXVF6532M3TG01

Name: onsemi NXVF6532M3TG01
Brand: onsemi
SKU: 863-NXVF6532M3TG01
Price: 234.02 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NXVF6532M3TG01

Tillverk: Nr.:

NXVF6532M3TG01

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NXVF6532M3TG01 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NXVF6532M3TG01

På lager: 46

Lager:: 46 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	234,02 kr	234,02 kr
	191,51 kr	1.915,10 kr
	169,17 kr	16.917,00 kr
25 000	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	APM-16
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	4 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	31 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	44 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 22 C
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	58 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	65.2 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Quad
Falltid:	9.2 ns
Transkonduktans framåt - Min:	12 S
Förpackning:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	6 ns
Serie:	NXVF6532M3TG01
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	4 N-Channel
Typ:	Half Bridge
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	33.2 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8.4 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NXVF6532M3TG01 Datablad

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET Module is designed for demanding power conversion applications in automotive and industrial environments. Built with advanced Silicon Carbide (SiC) technology, the onsemi NXVF6532M3TG01 delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance. The module integrates four 32mΩ SiC MOSFETs in an H-Bridge configuration, making the device ideal for use in onboard chargers (OBCs), DC-DC converters, and electric vehicle (EV) powertrain systems. Housed in a compact APM16 package with integrated temperature sensing, the component supports high power density and reliable thermal management. The NXVF6532M3TG01 is AEC-Q101/Q200 and AQG324 qualified, ensuring automotive-grade reliability and performance in harsh operating conditions.