HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Paket/låda
Monteringsstil
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Maximal grind-emitterspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Pd - Effektavledning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Serie
Förpackning
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Datablad
3 169På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGP30H60DFB Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
Datablad
79På lager
1 000Förväntad 2026-05-04
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 260 W - 55 C + 175 C STGB30H60DFB Reel, Cut Tape, MouseReel