QPA2211D

Qorvo
772-QPA2211D
QPA2211D

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare GaN Amplifier

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 10   Flera: 10
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
6.128,53 kr 61.285,30 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: RF-förstärkare
Leveransrestriktioner:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
27.5 GHz to 31 GHz
22 V
280 mA
26 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
Die
GaN SiC
- 40 C
+ 85 C
QPA2211D
Gel Pack
Märke: Qorvo
Utvecklingskit: QPA2211DEVB03
Ingångsreturförlust: 12 dB
Antal kanaler: 1 Channel
Pd - Effektavledning: 40 W
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Testfrekvens: 31 GHz
Enhetens vikt: 2,140 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001
ECCN:
3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.