Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

IXFH46N65X2W

Name: IXYS IXFH46N65X2W
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH46N65X2W
Price: 96.03 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

747-IXFH46N65X2W

Tillverk: Nr.:

IXFH46N65X2W

Tillverk:

IXYS

Beskrivning:

MOSFET:er 650V 69mohm 46A X2-Class HiPerFET in TO-247

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

IXFH46N65X2W Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om IXYS IXFH46N65X2W

På lager: 551

Lager:: 551 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 29 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	96,03 kr	96,03 kr
	75,10 kr	751,00 kr
	62,57 kr	7.508,40 kr
	55,70 kr	28.407,00 kr
	49,60 kr	50.592,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	IXYS
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	46 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	69 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.5 V
Qg - Gate-laddning:	90 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	660 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	HiPerFET
Förpackning:	Tube
Märke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Transkonduktans framåt - Min:	24 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	21 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	53 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	28 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IXFH46N65X2W Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXFH46N65X2W effekt-MOSFET

IXYS IXFH46N65X2W Power MOSFET is a 650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET developed using the charge compensation principle and proprietary process technology. This N-channel power MOSFET exhibits low on-state resistance and low gate charges, along with superior dv/dt performance. The IXFH46N65X2W MOSFET features high power density, and the avalanche capability enhances the device's ruggedness. In addition to the fast soft-recovery body diode, the ultra-junction MOSFET helps to reduce switching losses and Electro-Magnetic Interference (EMI). The IXFH46N65X2W MOSFET is used in switch-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, PFC circuits, AC and DC motor drives, robotics, and servo control applications.

Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.