CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Central Semiconductor
610-CDM22011600LRFPS
CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Livscykel:
Specialbeställning från fabrik:
Få ett anbud för att bekräfta tillverkarens aktuella pris, leveranstid och beställningsvillkor.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 353

Lager:
353 Kan skickas omedelbart
Partier som är större än 353 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
30,30 kr 30,30 kr
19,62 kr 196,20 kr
13,84 kr 1 384,00 kr
10,13 kr 5 065,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Central Semiconductor
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
300 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
23.05 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
UltraMOS
Tube
Märke: Central Semiconductor
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Produkttyp: MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low RDS(ON) and low threshold voltage.

CDMxx Silicon N-Channel Effekt-MOSFET:ar

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications like Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency.
Learn More