UF4C/SC 1200 V Gen 4 SiC FETs

Qorvo UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC-FET:er är en högpresterande serie som levererar branschledande meriteringssiffror. UF4C/SC 1 200 V Gen 4 SiC-FET:er är perfekta för vanliga 800 V-bussarkitekturer i inbyggda laddare för elfordon, industriella batteriladdare, industriella strömförsörjningar, förnybar energi, energilagring, svetsmaskiner, UPS och induktionsuppvärmningstillämpningar. Gen 4-serien finns i alternativ 23 mΩ till 70 mΩ, och är baserad på en unik kaskodkonfiguration, där en högpresterande SiC JFET är kombinerad med en kaskodoptimerad Si-MOSFET för att producera en SiC-enhet med standard gate-drift. Funktionen möjliggör flexibel konstruktion utan att ändra spänningen för gate-driften, vilket gör det enkelt att ersätta Si IGBT, Si FET, SiC FET eller Si superjunction-enhet.