PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Resultat: 4
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Nexperia MOSFET:er SOT23 P-CH 20V 3.6A 30 635På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er PMV33UPE/SOT23/TO-236AB 1 932På lager
3 000Förväntad 2027-02-08
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT23 P-CH 20V 2.5A 22 741På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms - 12 V, 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET:er SOT23 P-CH 20V 3.6A
5 904Förväntad 2027-02-08
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel