Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 20.17 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RH7G04CBKFRATCB

Tillverk: Nr.:

RH7G04CBKFRATCB

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

RH7G04CBKFRATCB Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB

På lager: 3 000

Lager:: 3 000 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,17 kr	20,17 kr
	12,97 kr	129,70 kr
	8,92 kr	892,00 kr
	7,55 kr	3.775,00 kr
	6,59 kr	6.590,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	5,59 kr	16.770,00 kr
	5,52 kr	49.680,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	DFN-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	40 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	40 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	5 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	19.1 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	62 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	9..3 ns
Transkonduktans framåt - Min:	11 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	10.5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	41.7 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	14.3 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RH7G04CBKFRATCB Datablad

Other

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RH7G04CBKFRA P-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRA P-Ch Power MOSFET is AEC-Q101 qualified for automotive applications, including infotainment, lighting, ADAS, and body. The device offers a 40V drain-source voltage and ±40A continuous drain current. The ROHM RH7G04CBKFRA MOSFET is available in a DFN-8 package.

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.