Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 154.34 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NDSH40120CDN

Tillverk: Nr.:

NDSH40120CDN

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-schottkydioder Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 40 A, 1200 V, D3, TO-247-3L

Datablad:

NDSH40120CDN Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NDSH40120CDN

På lager: 1 198

Lager:: 1 198 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 11 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	154,34 kr	154,34 kr
	108,02 kr	1.080,20 kr
	95,27 kr	9.527,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-schottkydioder
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Monteringsstil:	Through Hole
Paket/låda:	TO-247-3LD
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
If - Framström:	52 A
Vrrm - Repetativ backspänning:	1.2 kV
Vf - Framspänning:	1.36 V
Ifsm - Stötström framåt:	123 A
Ir - Motström:	2.39 uA
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120CDN
Förpackning:	Tube
Märke:	onsemi
Pd - Effektavledning:	217 W
Produkttyp:	SiC Schottky Diodes
Fabriksförpackningskvantitet:	450
Underkategori:	Diodes & Rectifiers
Handelsnamn:	EliteSiC
Vr - Backspänning:	1.2 kV

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NDSH40120CDN Datablad

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions offers computing and connectivity essential for infrastructure. onsemi Cloud Power Management Solutions' power is critical for processors, memory banks, and wireless base stations. As operations shift to the Cloud, the importance of efficiency and reliability grows. AI servers, in particular, require a reliable power source to ensure optimal performance and efficiency, making solutions crucial for maintaining the integrity and functionality of AI-driven operations. onsemi provides diverse solutions for AC-DC conversion, multiphase conversion, point-of-load supplies, and hot-swap protection to support various power needs in cloud infrastructure. Cutting-edge technology, dependable performance, and deep application expertise make onsemi an ideal partner for powering data in today’s environment, whether in base stations, servers, or data centers.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH40120CDN Schottkydiod av kiselkarbid (SiC)

NDSH40120CDN Schottkydiod av kiselkarbid (SiC) från onsemi ger överlägsen switchningsprestanda och högre tillförlitlighet än kisel. Denna diod från onsemi har inget omvänt strömflöde, temperaturoberoende växlingsegenskaper och utmärkt värmeprestanda. Systemfördelarna inbegriper högsta effektivitet, snabbare driftfrekvens, ökad effekttäthet, minskad EMI och minskad systemstorlek och kostnad.