R60/R65 N-kanals MOSFET:ar

N-kanals MOSFET:arna R60/R65 har en utgång med en kanal och en dräneringsspänning på 600 eller 650 V i en TO-220 FM-3-kapsling. MOSFET:arna R60/R65 har en drifttemperatur från -55 till +150 °C och effektavledningsalternativ på 40, 46, 48, 53, 68, 74 eller 86 W. N-kanals MOSFET:arna R60/R65 är perfekta för switchningstillämpningar.

Resultat: 56
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
ROHM Semiconductor MOSFET:er Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datablad
1 988På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET:er Nch 600V 33A, TO-3PF, Power MOSFET: R6086YNZ is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Datablad
600På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC + 150 C 114 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET:er TO252 600V 7A N-CH MOSFET
Datablad
5 000På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er TO252 600V 9A N-CH MOSFET
Datablad
4 949På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET:er TO247 650V 60A N-CH MOSFET
Datablad
600Förväntad 2026-09-02
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET:er TO220 650V 11A N-CH MOSFET
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 30 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube