Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 20.93 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RD3U041AAFRATL

Tillverk: Nr.:

RD3U041AAFRATL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Datablad:

RD3U041AAFRATL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL

På lager: 1 998

Lager:: 1 998 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	20,93 kr	20,93 kr
	13,41 kr	134,10 kr
	9,08 kr	908,00 kr
	7,26 kr	3.630,00 kr
	6,87 kr	6.870,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	6,02 kr	15.050,00 kr
	5,94 kr	29.700,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TO-252-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	250 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	1.3 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	5.5 V
Qg - Gate-laddning:	8.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	29 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	15 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	14 ns
Serie:	RD3
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Del # Alias:	RD3U041AAFRA
Enhetens vikt:	330 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrera dokument:

Datablad

RD3U041AAFRATL Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET features low on-resistance and fast switching. With simple drive circuits and a 250V drain-source voltage, the RD3U041AAFRA is suitable for switching applications. The ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET, which is AEC-Q101 qualified.