A5G35H120N Airfast RF Power GaN Transistor
NXP Semiconductors A5G35H120N Airfast RF Power GaN Transistor is an 18W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor. It is designed for cellular base station applications requiring a very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 3300 to 3700MHz.
INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
- Kontrollera art. nr. eller nyckelord
- Använd kortare eller annat nyckelord
- Sök på 1 art.nr. i taget
- Använd 1 filter i taget