Power MOSFETs

YAGEO XSemi Power MOSFETs use advanced processing techniques for low on-resistance, efficiency, and cost-effectiveness. YAGEO XSemi Power MOSFETs are available in different packages to fit application needs. Packages available for the device are widely used for commercial and industrial applications.

Resultat: 79
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Förpackning
YAGEO XSemi MOSFET:er N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
Datablad
922På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms - 20 V, 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET:er N-CH 60V 2.5A SOT-23S
Datablad
1 664På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET:er P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
Datablad
954På lager
6 000Förväntad 2026-11-10
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET:er P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
Datablad
2 955Förväntad 2026-10-27
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel