Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 14342.12 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

941-CGHV35400F1

Tillverk: Nr.:

CGHV35400F1

Tillverk:

MACOM

Beskrivning:

GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Datablad:

CGHV35400F1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om MACOM CGHV35400F1

Leveransavisering:

Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 1

Lager:: 1

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 20

Förväntad 2026-10-09
Fabrikens ledtid:: 26

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14 342,12 kr	14 342,12 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	MACOM
Produktkategori:	GaN FET
Leveransrestriktioner:	Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	Screw Mount
Paket/låda:	440225
Transistorns polaritet:	N-Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	125 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	24 A
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3 V
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 125 C
Märke:	MACOM
Förstärkning:	11 dB
Maximal driftsfrekvens:	3.5 GHz
Minsta driftfrekvens:	2.9 GHz
Utgångseffekt:	400 W
Förpackning:	Tray
Produkttyp:	GaN FETs
Fabriksförpackningskvantitet:	10
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	GaN HEMT
Vgs - Gate-källans genombrottsspänning:	- 10 V, 2 V

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

CGHV35400F1 Datablad (PDF)

PCN

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Ursprungsklassificeringar

Ursprungsland:: USA
Monteringsland:: Ej tillgänglig
Distributionsland:: Ej tillgänglig

Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CGHV35400F 400 W 50 Ω I/O matchade GaN HEMT

Den matchade GaN HEMT:n CGHV35400F på 400 W för 2,9 till 3,5 GHz, med 50 Ω I/O från Wolfspeed för förstärkning av tillämpningar med S-Band radar har en hög effektivitet, hög förstärkning och enorm bandbreddskapacitet. Transistorn CGHV35400F är matchad till 50 Ω på ingången och 50 ohm på utgången.