TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs
Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.
INGA RESULTAT HITTADES..
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Försök att ändra din sökterm nedan eller besök vårt hjälpcenter.
Sökförslag
- Kontrollera art. nr. eller nyckelord
- Använd kortare eller annat nyckelord
- Sök på 1 art.nr. i taget
- Använd 1 filter i taget