TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor TSM2N7002 N-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (RDS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. These power MOSFETs are available in single and dual configuration variants. The TSM2N7002 power MOSFETs operate at 60V drain-source breakdown voltage and -55°C to +150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.

Resultat: 3
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Teknologi Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge Förpackning
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 60V, 0.24A, Single N-Channel Power MOSFET 798På lager
9 000Förväntad 2026-06-15
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 680 pC - 55 C + 150 C Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 60V, 0.3A, Single N-Channel Power MOSFET 6 322På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.65 nC - 55 C + 150 C 357 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFET:er 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET 3 929På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 91 nC - 55 C + 150 C 240 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel