CMPA0530002S

MACOM
941-CMPA0530002S
CMPA0530002S

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare MMIC, GaN HEMT,2W, 0.5-3.0GHz, 28V, 3x4

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 383

Lager:
383 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
1 077,60 kr 1 077,60 kr
924,43 kr 9 244,30 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
873,55 kr 43 677,50 kr
843,97 kr 84 397,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
MACOM
Produktkategori: RF-förstärkare
RoHS-direktivet:  
500 MHz to 3 GHz
28 V
17.52 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
DFN-12
GaN
- 65 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: MACOM
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 50
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
USA
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

CMPA0530002S GaN HEMT

MACOM CMPA0530002S Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is specially designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The MACOM CMPA0530002S operates on a 28V rail while encased in a 3mm x 4mm, surface-mount, dual-flat-no-lead (DFN) package. The transistor can operate below 28V to as low as 20V VDD under reduced power, maintaining high gain and efficiency.