DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Resultat: 113
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Toshiba MOSFET:er N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 105 nC 230 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 240W 3000pF 30.8A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 78 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 5.8 A 890 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 795 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 540 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 420 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 80 W DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7.8 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 430 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.3 A 460 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSIV Reel