DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.

Resultat: 113
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Handelsnamn
Förpackning
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 88.3W 700pF 9.7A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 20 nC - 55 C + 150 C 88.3 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.1 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 800V 1400pF 23nC 11.5A 165W
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11.5 A 380 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD=100W F=1MHZ
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 000
Multipla: 2 000
Papprulle: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 11.5 A 340 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 340mOhm 11.5A 100W 890pF
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 75

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 265 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W DTMOSIV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 104W 890pF 11.5A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 300 mOhms 104 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel

Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS DFN8x8-OS PD=139W F=1MHZ
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 13.7 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 18 Veckor
Min.: 1 000
Multipla: 1 000
Papprulle: 1 000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er TO-3PN(OS) PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 43 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er N-Ch 15.8A 130W FET 600V 1350pF 38nC
Datablad
Ej på lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement DTMOSIV
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 139W 1350pF 15.8A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 15.8 A 190 mOhms 139 W DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er TO-220SIS PD=45W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 32 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 165 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er DFN8x8-OS PD=156W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17.3 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 45 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er N-Ch DTMOSIV 600 V 156W 1680pF 20A
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220AB PD=230W F=1MHZ
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET:er Power MOSFET N-Channel
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET:er Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8 8 PD=240W F=1MHZ
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 5 000
Multipla: 5 000
Papprulle: 5 000

Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er DFN8x8-OS PD=240W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 2 500
Multipla: 2 500
Papprulle: 2 500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 75 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel
Toshiba MOSFET:er N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 105nC
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 20 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30.8 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 3.7 V 86 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement DTMOSIV Tube