NTBL032N065M3S

Name: onsemi NTBL032N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL032N065M3S
Price: 77.5 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NTBL032N065M3S

Tillverk: Nr.:

NTBL032N065M3S

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

NTBL032N065M3S Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NTBL032N065M3S

På lager: 1 828

Lager:: 1 828 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 18 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	77,50 kr	77,50 kr
	56,46 kr	564,60 kr
	47,09 kr	4.709,00 kr
	42,18 kr	21.090,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2000)
	35,75 kr	71.500,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	H-PSOF-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	650 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	55 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	44 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	4 V
Qg - Gate-laddning:	55 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	227 W
Kanalläge:	Enhancement
Märke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Falltid:	9 ns
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Stigtid:	12 ns
Serie:	NTBL032N065M3S
Fabriksförpackningskvantitet:	2000
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	31 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8.8 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NTBL032N065M3S Datablad

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for fast switching applications, offering reliable performance with negative gate voltage drive and turn-off spikes. onsemi NTBL032N065M3S MOSFETs are optimized for an 18V gate drive and also perform well with a 15V drive. The TOLL package enhances thermal and switching performance with its Kelvin Source configuration and reduced parasitic source inductance. The devices also meet Moisture Sensitivity Level 1 (MSL 1) standards.