TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxE65F SiC Schottky Barrier Diodes exhibit the chip design of 2nd generation and come in TRS6E65F and TRS8E65F variants. The TRSxE65F diodes feature high surge current, small junction capacitance, and small reverse current. These diodes are available in 10.05mm x 15.3mm x 4.45mm dimensions. The Toshiba TRSxE65F Schottky barrier diodes are ideal for power factor correction, uninterruptible power supplies, and DC-DC converters.

Resultat: 7
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Konfiguration If - Framström Vrrm - Repetativ backspänning Vf - Framspänning Ifsm - Stötström framåt Ir - Motström Maximal drifttemperatur Förpackning
Toshiba SiC-schottkydioder V=650 IF=8A 7På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder RECT 650V 2A RDL SIC SKY 307På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder RECT 650V 10A RDL SIC SKY Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder RECT 650V 12A RDL SIC SKY Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder RECT 650V 3A RDL SIC SKY Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder RECT 650V 4A RDL SIC SKY Ledtid för icke lagerfört 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC-schottkydioder V=650 IF=6A Ledtid 26 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube