STGWA30M65DF2

STMicroelectronics
511-STGWA30M65DF2
STGWA30M65DF2

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss in a TO-247 long leads

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
14 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 600   Flera: 600
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
11,23 kr 6.738,00 kr
11,01 kr 13.212,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
- 20 V, 20 V
STGWA30M65DF2
Tube
Märke: STMicroelectronics
Produkttyp: IGBT Transistors
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: IGBTs
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.