M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low RDS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

Resultat: 46
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
Handelsnamn
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datablad
724På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
424På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V
Datablad
390På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V
Datablad
448På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V
Datablad
398På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V
Datablad
445På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
Datablad
366På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datablad
1 547På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS 60MOHM 900V
Datablad
475På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
449På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-3L 650V
Datablad
618På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar 20MOHM 900V
Datablad
194På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
380På lager
Min.: 1
Multipla: 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS D2PAK-7L 650V
Datablad
454På lager
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
864På lager
Min.: 1
Multipla: 1
TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
36På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar 20MOHM 900V
Datablad
279På lager
MouseReel tillgängligt
Min.: 1
Multipla: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
444På lager
Min.: 1
Multipla: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 750V
Datablad
1 800Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 450
Multipla: 450

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOS TO247-4L 650V
Datablad
3 600Tillgänglig mängd i lager
Mer info finns
Min.: 450
Multipla: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC-MOSFET:ar SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 45 Veckor
Min.: 450
Multipla: 450

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC