SI7454FDP-T1-RE3

Vishay / Siliconix
78-SI7454FDP-T1-RE3
SI7454FDP-T1-RE3

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 812

Lager:
812
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
3 000
Förväntad 2026-04-27
18 000
Förväntad 2026-05-11
Fabrikens ledtid:
6
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
13,89 kr 13,89 kr
8,75 kr 87,50 kr
5,83 kr 583,00 kr
4,58 kr 2.290,00 kr
4,18 kr 4.180,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
3,81 kr 11.430,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Vishay
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
100 V
23.5 A
29.5 mOhms
- 20 V, 20 V
2.4 V
17.4 nC
- 55 C
+ 150 C
39 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Single
Monteringsland: Not Available
Distributionsland: Not Available
Ursprungsland: CN
Falltid: 4 ns
Transkonduktans framåt - Min: 33 S
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 5 ns
Fabriksförpackningskvantitet: 3000
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 19 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 9 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Si74 MOSFETs

Vishay Si74 MOSFETs feature TrenchFET® technology that lowers the on-resistance, ensuring reliability and performance in a 30V to 250V range. The N- and P-channel MOSFETs are halogen-free under the IEC 61249-2-21 definition. Housed in the PowerPAK® package, these MOSFETs boast low thermal resistance, compact size, and a slim 1.07 mm profile, making them ideal for applications where space and thermal management are critical.

Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET

Vishay / Siliconix Si7454FDP N-Channel 100V MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET with very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM). The Si7454FDP has a 23.5A ID and 8nC Qg. The Vishay / Siliconix Si7454FDP MOSFET is housed in a single PowerPAK® SO-8 package and has a specified -55°C to +150°C operating junction and storage temperature range.