IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Resultat: 10
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Produkt
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Gate-sändarens läckström
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Teknologi
Förpackning
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 450 A dual IGBT module
Datablad
17På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Datablad
2På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datablad
6På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1700 V, 750 A dual IGBT module
Datablad
4På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 600 A dual IGBT module
Datablad
33På lager
Min.: 1
Multipla: 1

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datablad
52På lager
Min.: 1
Multipla: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 900 A dual IGBT module
Datablad
27På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Nej
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 300 A dual IGBT module
Datablad
5På lager
10Förväntad 2027-02-11
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler PP IHM I
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 39 Veckor
Min.: 3
Multipla: 3

Si Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler 1200 V, 750 A dual IGBT module
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 24 Veckor
Min.: 10
Multipla: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray