RFN10BGE3STL

ROHM Semiconductor
755-RFN10BGE3STL
RFN10BGE3STL

Tillverk:

Beskrivning:
Likriktare RECT 350V 10A SM SUPER FST

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 3 657

Lager:
3 657 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
12,64 kr 12,64 kr
8,06 kr 80,60 kr
6,78 kr 678,00 kr
5,34 kr 2 670,00 kr
4,88 kr 4 880,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
4,56 kr 11 400,00 kr
4,50 kr 22 500,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: Likriktare
RoHS-direktivet:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
TO-252GE-3
350 V
10 A
Super Fast Recovery Diode
Single
1.5 V
80 A
10 uA
30 ns
+ 150 C
Reel
Cut Tape
Märke: ROHM Semiconductor
Produkt: Rectifiers
Produkttyp: Rectifiers
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Diodes & Rectifiers
Del # Alias: RFN10BGE3S
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL Super Fast Recovery Diode features silicon epitaxial planar construction with high current overload capacity and low switching loss. This superfast recovery diode is stored at -55°C to 150°C temperature range and offers 350V repetitive peak reverse voltage. The RFN10BGE3STL diode functions at 10A average rectified forward current, 1.5V maximum forward voltage, 10μA maximum reverse current, and 150°C junction temperature. This diode is ideal for use in general rectification.