Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

AFV10700GSR5

Name: NXP AFV10700GSR5
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-AFV10700GSR5
Price: 7538.99 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

771-AFV10700GSR5

Tillverk: Nr.:

AFV10700GSR5

Tillverk:

NXP Semiconductors

Beskrivning:

RF MOSFET-transistorer Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V

Datablad:

AFV10700GSR5 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om NXP Semiconductors AFV10700GSR5

Tillgänglighet

Lager:: Ej på lager

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 10 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.

Ange kvantitet:

Minst: 50 Flera: 50

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 50)
	7 538,99 kr	376 949,50 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	NXP
Produktkategori:	RF MOSFET-transistorer
RoHS-direktivet:
Transistorns polaritet:	N-Channel
Teknologi:	Si
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	2.6 A
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	105 V
Manövreringsfrekvens:	1.03 GHz to 1.09 GHz
Förstärkning:	19.2 dB
Utgångseffekt:	700 W
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	NI-780GS-4L
Förpackning:	Reel
Märke:	NXP Semiconductors
Antal kanaler:	2 Channel
Pd - Effektavledning:	526 W
Produkttyp:	RF MOSFET Transistors
Serie:	AFV10700
Fabriksförpackningskvantitet:	50
Underkategori:	MOSFETs
Typ:	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-källans spänning:	+ 10 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.3 V
Del # Alias:	935362013178

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

AFV10700GSR5 Datablad (PDF)

PCN

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

AFV10700H RF Power LDMOS Transistor

NXP Semiconductors AFV10700H RF Power LDMOS Transistor is designed for pulse applications operating at 1030MHz to 1090MHz. This LDMOS Transistor can also be used over the 960MHz to 1215MHz band at reduced power. This device is suitable for use in defense and commercial pulse applications with large duty cycles and long pulses, such as IFF, secondary surveillance radars, ADS-B transponders, DME, and other complex pulse chains.