Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 9.84 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

78-SI3129DV-T1-GE3

Tillverk: Nr.:

SI3129DV-T1-GE3

Tillverk:

Vishay / Siliconix

Beskrivning:

MOSFET:er TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Datablad:

SI3129DV-T1-GE3 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Vishay / Siliconix SI3129DV-T1-GE3

På lager: 161 619

Lager:: 161 619 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	9,84 kr	9,84 kr
	6,18 kr	61,80 kr
	4,04 kr	404,00 kr
	3,12 kr	1.560,00 kr
	2,82 kr	2.820,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	2,40 kr	7.200,00 kr
	2,22 kr	13.320,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Vishay
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	TSOP-6
Transistorns polaritet:	P-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	80 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	5.4 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	82.7 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.5 V
Qg - Gate-laddning:	12 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	4.2 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	TrenchFET
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Single
Falltid:	12 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	8 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	TrenchFET Power MOSFET
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	25 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	15 ns
Enhetens vikt:	20 mg

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

SI3129DV-T1-GE3 Datablad

Technical Resources

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.