SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

Resultat: 31
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Antal kanaler
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Qg - Gate-laddning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Kanalläge
Kvalificering
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Datablad
5På lager
450Förväntad 2026-03-12
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Datablad
92På lager
450Förväntad 2026-05-20
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Datablad
24På lager
1 350På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Datablad
1 197På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Datablad
Produktkommenterarer
450Förväntad 2026-07-23
Min.: 1
Multipla: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFET:ar 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Datablad
Produktkommenterarer
Ledtid för icke lagerfört 27 Veckor
Min.: 450
Multipla: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101