M25PE10-VMN6P

Alliance Memory
913-M25PE10-VMN6P
M25PE10-VMN6P

Tillverk:

Beskrivning:
NOR-flash 1Mb, 3V, M25 Page Erasable Serial Flash Memory, 75Mhz, Industrial, SO8N, Tube

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 770

Lager:
1 770 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
2 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
16,64 kr 16,64 kr
15,69 kr 156,90 kr
15,26 kr 381,50 kr
14,84 kr 742,00 kr
14,52 kr 1 452,00 kr
13,99 kr 3 497,50 kr
13,78 kr 6 890,00 kr
13,36 kr 13 360,00 kr
13,04 kr 26 080,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Alliance Memory
Produktkategori: NOR-flash
SMD/SMT
SOIC-8
1 Mbit
2.7 V
3.6 V
12 mA
SPI
75 MHz
128 k x 8
8 bit
Synchronous
- 40 C
+ 85 C
Tube
Märke: Alliance Memory
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: NOR Flash
Hastighet: 75 MHz
Fabriksförpackningskvantitet: 2000
Underkategori: Memory & Data Storage
Strömstyrka - Max: 15 mA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Efterlevnadskoder
TARIC:
8542326100
CNHTS:
8542329090
USHTS:
8542320051
ECCN:
3A991
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Kina
Distributionsland:
Singapore
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

M25Px Serial Flash Embedded Memory Devices

Alliance Memory M25Px Serial Flash Embedded Memory Devices feature advanced write protection mechanisms accessed by a high-speed SPI-compatible bus. These memory devices can be programmed 1byte to 256bytes at a time using the PAGE PROGRAM command. The M25P10A memory device is organized as 4-sectors with each containing 128 pages and the M25P80 memory device is organized as 16-sectors with each containing 256 pages. The M25PE40 memory device is organized as 8-sectors that is divided into 16 sub-sectors each containing 256 pages in each sector and each sub-sector contains 16 pages. The entire memory of the M25P10A and M25P80 devices can be erased using the BULK ERASE command, or it can be erased one sector at a time using the SECTOR ERASE command. The memory of M25PE40 can be erased one page at a time using the PAGE ERASE command. The SECTOR ERASE command can be used for erasing one sector at a time and SUBSECTOR ERASE command for one sub-sector at a time. The M25PE40 memory can also be erased using the BULK ERASE command.