Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

QPD1006

Name: Qorvo QPD1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1006
Price: 14039.2 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

772-QPD1006

Tillverk: Nr.:

QPD1006

Tillverk:

Qorvo

Beskrivning:

GaN FET 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET

Datablad:

QPD1006 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Qorvo QPD1006

På lager: 18

Lager:: 18 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 18 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	14.039,20 kr	14.039,20 kr
25	Beräkning

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Qorvo
Produktkategori:	GaN FET
RoHS-direktivet:
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	NI-50CW
Transistorns polaritet:	N-Channel
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	14 A
Minsta drifttemperatur:	- 40 C
Maximal drifttemperatur:	+ 85 C
Pd - Effektavledning:	445 W
Märke:	Qorvo
Konfiguration:	Single
Utvecklingskit:	QPD1006EVB3
Förstärkning:	17.8 dB
Maximal dränerings-styrspänning:	145 V
Maximal driftsfrekvens:	1.4 GHz
Minsta driftfrekvens:	1.2 GHz
Fuktkänsliga:	Yes
Utgångseffekt:	450 W
Förpackning:	Waffle
Produkttyp:	GaN FETs
Serie:	QPD1006
Fabriksförpackningskvantitet:	36
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	GaN
Transistortyp:	HEMT

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

QPD1006 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD1006 GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1006 GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 450W GaN SiC high-electron mobility transistor (HEMT). The QPD1006 transistor operates from 1.2GHz to 1.4GHz frequency range and a 50V supply rail. This device can support pulsed and continuous wave (CW) operations. Qorvo QPD1006 transistor is GaN IMFET fully matched to 50Ω in an industry-standard air cavity package. This IMFET transistor is ideally suited for military and civilian radar.