Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 4.59 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-RA1C030LDT5CL

Tillverk: Nr.:

RA1C030LDT5CL

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Datablad:

RA1C030LDT5CL Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL

På lager: 26 806

Lager:: 26 806 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	4,59 kr	4,59 kr
	3,65 kr	36,50 kr
	2,33 kr	233,00 kr
	1,77 kr	885,00 kr
	1,43 kr	1.430,00 kr
	1,26 kr	6.300,00 kr
	1,05 kr	10.500,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 15000)
	1,04 kr	15.600,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	WLCSP-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	20 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	3 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	140 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	1.5 V
Qg - Gate-laddning:	1.5 nC
Minsta drifttemperatur:	- 50 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	1 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	4 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	6 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	15000
Underkategori:	Transistors
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	15 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	6 ns
Del # Alias:	RA1C030LD

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

RA1C030LDT5CL Datablad

Specification Sheets

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET is an N-channel MOSFET designed with a low on-resistance and high power package. This device features a 20V_DSS drain-source voltage, 3A continuous drain current, and 1W power dissipation. The RA1C030LD MOSFET offers 1.8V drive voltage, Electro-Static Discharge (ESD) protection up to 200V (MM), and up to 2kV (HBM). This MOSFET is suitable for switching circuits, single-cell battery applications, and mobile applications. The RA1C030LD MOSFET is Pb-free, halogen-free, and RoHS-compliant device.