Resultat: 11
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Paket/låda Transistorns polaritet Antal kanaler Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning Id - Kontinuerlig dräneringsström Rds på - Dräneringskällans resistans Vgs - Gate-källans spänning Vgs th - Gate-källans tröskelspänning Qg - Gate-laddning Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning Kanalläge
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 054På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 189På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 3 648På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 433På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 900På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 475På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1 651På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 752På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 256På lager
1 000Förväntad 2026-03-05
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 259På lager
5 000På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies SiC-MOSFET:ar CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 9På lager
2 000Förväntad 2026-06-11
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement