NXH020P120MNF1 SiC Module

onsemi NXH020P120MNF1 SiC Module contains a 20Mohm 1200V SiC MOSFET half-bridge and an NTC thermistor in an F1 module. The module has a recommended gate voltage of 18V to 20V. The NXH020P120MNF1 features an improved RDS(ON) at higher voltage and low thermal resistance.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Teknologi
Monteringsstil
Paket/låda
Transistorns polaritet
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning
Id - Kontinuerlig dräneringsström
Rds på - Dräneringskällans resistans
Vgs - Gate-källans spänning
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Pd - Effektavledning
Serie
Förpackning

onsemi MOSFET-moduler SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
Datablad
28På lager
Min.: 1
Multipla: 1
SiC Press Fit Module N-Channel 1.2 kV 51 A 30 mOhms - 15 V, + 25 V 1.8 V - 40 C + 150 C 211 W NXH020P120MNF1 Tray

onsemi MOSFET-moduler SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 17 Veckor
Min.: 28
Multipla: 28

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH020P120MNF1 Tray