Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Ser du något fel?

IPB048N15N5LFATMA1

Name: Infineon IPB048N15N5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB048N15N5LF
Price: 64.75 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

726-IPB048N15N5LF

Tillverk: Nr.:

IPB048N15N5LFATMA1

Tillverk:

Infineon Technologies

Beskrivning:

MOSFET:er IFX FET >100-150V

Datablad:

IPB048N15N5LFATMA1 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Infineon Technologies IPB048N15N5LFATMA1

På lager: 3 493

Lager:: 3 493 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 8 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Förpackning:

Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)

Klipp band

MouseReel™ (+58,00 kr)

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™ ^†
	64,75 kr	64,75 kr
	43,82 kr	438,20 kr
	32,48 kr	3.248,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 1000)
	27,47 kr	27.470,00 kr

† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Infineon
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
REACH - SVHC:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	150 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	120 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	3.3 V
Qg - Gate-laddning:	84 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	313 W
Kanalläge:	Enhancement
Handelsnamn:	OptiMOS
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Förpackning:	MouseReel
Märke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Falltid:	10 ns
Transkonduktans framåt - Min:	17 S
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	48 ns
Serie:	OptiMOS 5
Fabriksförpackningskvantitet:	1000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	42 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	8 ns
Del # Alias:	IPB048N15N5LF SP001503860
Enhetens vikt:	4 g

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

IPB048N15N5LFATMA1 Datablad (PDF)

Application Notes

Other

Market News OptiMOS Linear FET (PDF)

Product Catalogs

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Residential Energy Storage Systems (ESS)

Infineon Residential Storage Solutions (ESS) offers various products to create and manage resilient energy infrastructures. Infineon's distinctive expertise in energy generation, power conversion, transmission, and battery management makes it an ideal natural partner to advance Energy Storage Solutions, especially in terms of efficiency, innovation, performance, and optimal cost.

OptiMOS™ Linear FETs

Infineon Technologies OptiMOS™ Linear FET is a solution to avoid the trade-off between on-state resistance R_DS(on) and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. The devices feature the state-of-the-art R_DS(on) of a trench MOSFET and a classic planar MOSFET's wide, safe operating area. The OptiMOS Linear FET prevents damage at the load by limiting high in-rush currents.

Solutions for Light Electric Vehicles (LEV)

Infineon Technologies Solutions for Light Electric Vehicles (LEV) have world-changing potential utilizing the emission-free solution for rising megacities. LEVs apply new technology enabling greater power efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost solutions. LEVs cost less when compared to gasoline or battery powered EVs, making them affordable and hence attractive to emerging markets, where a transition to electrified mobility is in progress.