BD2320EFJ-LAE2

ROHM Semiconductor
755-BD2320EFJ-LAE2
BD2320EFJ-LAE2

Tillverk:

Beskrivning:
Styrdrivenheter 3.5A 100 V VB HIGH AND

Livscykel:
NRND:
Rekommenderas ej för ny design.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 4 709

Lager:
4 709 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
15 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 4709 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
23,76 kr 23,76 kr
17,77 kr 177,70 kr
16,24 kr 406,00 kr
14,50 kr 1.450,00 kr
13,73 kr 3.432,50 kr
13,30 kr 6.650,00 kr
12,97 kr 12.970,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
12,43 kr 31.075,00 kr
5 000 Beräkning
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
ROHM Semiconductor
Produktkategori: Styrdrivenheter
RoHS-direktivet:  
Isolated Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
HTSOP-8
2 Driver
2 Output
4.5 A
7.5 V
14.5 V
Non-Inverting
8 ns
6 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: ROHM Semiconductor
Utvecklingskit: REF66009
Ingångsspänning – max.: 14.5 V
Ingångsspänning – min.: 7.5 V
Maximal förseningstid vid avstängning: 50 ns
Maximal förseningstid vid påslagning: 50 ns
Arbetsström: 160 uA
Utgångsspänning: 7.5 V to 14.5 V
Produkttyp: Gate Drivers
Utbredningsförsening - Max: 27 ns
Avstängning: No Shutdown
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: PMIC - Power Management ICs
Teknologi: Si
Del # Alias: BD2320EFJ-LA
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

BD2320EFJ-LA drivenhet för hög-och lågspänning

Den högfrekventa drivenheten BD2320EFJ-LA för hög- och lågspänning från ROHM Semiconductor är en gate-drivenhet för max. 100 V på hög och lågsida som kan driva externa Nch-FET:ar med bootstrap-metoden. BD2320EFJ-LA från ROHM Semiconductor innehåller en bootstrap-diod på 100 V och oberoende styrningar av ingångarna för låg- och högspänningsdelen. 3,3 V och 5,0 V finns för gränssnittsspänning. Kretsarna för låsning vid underspänning är inbyggda för hög- och lågspänningssidan.