Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

BSS138WAHZGT106

Name: ROHM Semiconductor BSS138WAHZGT106
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BSS138WAHZGT106
Price: 4.12 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

755-BSS138WAHZGT106

Tillverk: Nr.:

BSS138WAHZGT106

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Beskrivning:

MOSFET:er Nch 60V 310mA, SOT-323, Small Signal MOSFET for Automotive AEC-Q101.

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

BSS138WAHZGT106 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om ROHM Semiconductor BSS138WAHZGT106

På lager: 163

Lager:: 163

Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 3 000

Förväntad 2026-04-10
Fabrikens ledtid:: 16

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	4,12 kr	4,12 kr
	3,11 kr	31,10 kr
	1,75 kr	175,00 kr
	1,18 kr	590,00 kr
	0,894 kr	894,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 3000)
	0,796 kr	2.388,00 kr
	0,687 kr	4.122,00 kr
	0,632 kr	5.688,00 kr
	0,567 kr	13.608,00 kr

Liknande produkt

Tillverk:

ROHM Semiconductor

Tillverk: Nr.:

R6002ENHTB1

Beskrivning:

MOSFET:er SOP8 600V 1.7A N-CH MOSFET

Jämför med aktuell del

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	ROHM Semiconductor
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	SOT-323-3
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	1 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	310 mA
Rds på - Dräneringskällans resistans:	2.4 Ohms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.3 V
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 150 C
Pd - Effektavledning:	300 mW
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Falltid:	28 ns
Transkonduktans framåt - Min:	250 mS
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	5 ns
Fabriksförpackningskvantitet:	3000
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	18 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	3.5 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

BSS138WAHZGT106 Datablad

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

BSS138WAHZG N-Ch 60 V 310 mA MOSFET med små signaler

ROHM Semiconductor BSS138WAHZG N-Ch 60 V MOSFET 310 mA med små signaler har olika funktioner för att optimera prestanda och tillförlitlighet. MOSFET: en BSS138WAHZG från ROHM Semiconductor har snabb switchningskapacitet och en drivkrets med extremt låg spänning vid 2,5 V. Enheten säkerställer effektiv drift i olika tillämpningar. Dessutom förbättras hållbarheten av ESD-skyddet upp till 2 kV (HBM). Eftersom den är halogenfri, blyfri och uppfyller RoHS följer den miljöstandarder. Dessutom gör AEC-Q101-klassningen den lämplig för fordonstillämpningar.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.