STP80N1K1K6

STMicroelectronics
511-STP80N1K1K6
STP80N1K1K6

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 1 055

Lager:
1 055 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
16 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
23,21 kr 23,21 kr
14,95 kr 149,50 kr
10,21 kr 1 021,00 kr
8,16 kr 4 080,00 kr
7,75 kr 7 750,00 kr
6,96 kr 13 920,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
Tube
Märke: STMicroelectronics
Produkttyp: MOSFETs
Fabriksförpackningskvantitet: 1000
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 2 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

Efterlevnadskoder
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassificeringar
Ursprungsland:
Kina
Monteringsland:
Ej tillgänglig
Distributionsland:
Ej tillgänglig
Landet kan komma att ändras vid leveranstillfället.

STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N-Channel Power MOSFET uses MDmesh K6 technology, leveraging 20 years of experience in super junction technology. The STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET offers top-notch on-resistance per area and gate charge. The device is ideal for high-power density and efficient applications.

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.