CMPA5259080S

MACOM
941-CMPA5259080S
CMPA5259080S

Tillverk:

Beskrivning:
RF-förstärkare MMIC, GaN HEMT, QFN, G40V4, 5.2-5.9GHz,

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.
Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.

På lager: 25

Lager:
25 Kan skickas omedelbart
Fabrikens ledtid:
26 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Partier som är större än 25 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 10)
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
12.684,55 kr 12.684,55 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 10)
12.684,55 kr 126.845,50 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
MACOM
Produktkategori: RF-förstärkare
Leveransrestriktioner:
 Denna produkt kräver eventuellt ytterligare dokumentation vid export från USA.
RoHS-direktivet:  
5 GHz to 5.9 GHz
21.4 dB
SMD/SMT
QFN-48
GaN
+ 225 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: MACOM
Fuktkänsliga: Yes
Produkttyp: RF Amplifier
Fabriksförpackningskvantitet: 10
Underkategori: Wireless & RF Integrated Circuits
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8542330000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
3A001.b.2.a.4

CMPA5259080S GaN MMIC Power Amplifier

MACOM CMPA5259080S GaN MMIC Power Amplifier contains a two-stage reactively matched amplifier design approach for high power and power-added efficiency. The CMPA5259080S features 29dB small-signal gain, 110W typical PSAT, and an operation up to 40V. The CMPA5259080S gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) based monolithic microwave integrated circuit (MMIC) is available in a 7mm x 7mm surface mount (QFN package). It is ideal for civil and military pulsed radar amplifier applications.