Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 21.84 SEK
Availability: OutOfStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

621-DMTH64M2LPDW-13

Tillverk: Nr.:

DMTH64M2LPDW-13

Tillverk:

Diodes Incorporated

Beskrivning:

MOSFET:er MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Livscykel:

Ny produkt:

Nytt från denna tillverkare.

Datablad:

DMTH64M2LPDW-13 Datablad (PDF)

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13

Tillgänglighet

Lager:: 0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
På beställningen:: 2 500

Förväntad 2026-06-19
Fabrikens ledtid:: 40

Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Lång ledtid har rapporterats för denna produkt.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	21,84 kr	21,84 kr
	14,10 kr	141,00 kr
	9,67 kr	967,00 kr
	7,71 kr	3.855,00 kr
	7,44 kr	7.440,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
	7,06 kr	17.650,00 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	Diodes Incorporated
Produktkategori:	MOSFET:er
RoHS-direktivet:
Teknologi:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Paket/låda:	PowerDI5060-8
Transistorns polaritet:	N-Channel
Antal kanaler:	2 Channel
Vds - Dräneringskällans genombrottsspänning:	60 V
Id - Kontinuerlig dräneringsström:	90 A
Rds på - Dräneringskällans resistans:	7.8 mOhms
Vgs - Gate-källans spänning:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-källans tröskelspänning:	2.2 V
Qg - Gate-laddning:	48 nC
Minsta drifttemperatur:	- 55 C
Maximal drifttemperatur:	+ 175 C
Pd - Effektavledning:	74 W
Kanalläge:	Enhancement
Förpackning:	Reel
Förpackning:	Cut Tape
Märke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Dual
Monteringsland:	Not Available
Distributionsland:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Falltid:	38 ns
Produkttyp:	MOSFETs
Stigtid:	22 ns
Serie:	DMTH64M2LPDW
Fabriksförpackningskvantitet:	2500
Underkategori:	Transistors
Transistortyp:	1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning:	55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning:	5.2 ns

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

DMTH64M2LPDW-13 Datablad (PDF)

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. DMTH64M2LPDW integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package, offering compact size and excellent thermal performance. Each channel features a low on-resistance [R_DS(on)] and high current capability, ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, power management in computing systems, and battery protection circuits. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current up to 90A, this Diodes Inc device ensures fast switching and low conduction losses. The rugged design, combined with low gate charge and high avalanche energy rating, provides reliable operation in demanding environments such as server motherboards, graphics cards, and portable electronics.