DMTH64M2LPDW-13

Diodes Incorporated
621-DMTH64M2LPDW-13
DMTH64M2LPDW-13

Tillverk:

Beskrivning:
MOSFET:er MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
0

Du kan fortfarande köpa produkten som en restnoterad beställning.

På beställningen:
2 500
Förväntad 2026-03-27
Fabrikens ledtid:
24
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
23,11 kr 23,11 kr
14,82 kr 148,20 kr
10,13 kr 1.013,00 kr
8,37 kr 4.185,00 kr
7,37 kr 7.370,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 2500)
7,26 kr 18.150,00 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Diodes Incorporated
Produktkategori: MOSFET:er
RoHS-direktivet:  
Si
SMD/SMT
PowerDI5060-8
N-Channel
2 Channel
60 V
90 A
7.8 mOhms
- 20 V, 20 V
2.2 V
48 nC
- 55 C
+ 175 C
74 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Märke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Dual
Falltid: 38 ns
Produkttyp: MOSFETs
Stigtid: 22 ns
Serie: DMTH64M2LPDW
Fabriksförpackningskvantitet: 2500
Underkategori: Transistors
Transistortyp: 1 N-Channel
Typisk fördröjningstid vid avstängning: 55 ns
Typisk fördröjningstid vid påslagning: 5.2 ns
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. DMTH64M2LPDW integrates two MOSFETs in a single PowerDI® 5mm x 6mm package, offering compact size and excellent thermal performance. Each channel features a low on-resistance [RDS(on)] and high current capability, ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, power management in computing systems, and battery protection circuits. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current up to 90A, this Diodes Inc device ensures fast switching and low conduction losses. The rugged design, combined with low gate charge and high avalanche energy rating, provides reliable operation in demanding environments such as server motherboards, graphics cards, and portable electronics.