FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module

Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module is a 3.3kV, 450A Dual Insulated Gate Bipolar Transistor Module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and an emitter controlled diode. Designed specifically for high-power operations, the highly integrated XHP IGBT Modules cover the full-voltage range of IGBT chips from 3.3kV to 6.5kV. Sharing the same compact 140mm x 100mm x 40mm dimensions, these IGBT Modules allow for scalable design with best-in-class reliability and high power density. The FF450R33T3E3B5 IGBT module features enhanced isolation of 10.4kV.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer
 Tillverk:
Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet.
Antal RoHS ECAD-modell Produkt
Konfiguration
Kollektor- Emitterspänning VCEO Max.
Kollektor - Sändarens mättnadsspänning
Kontinuerlig kollektorström vid 25 C
Gate-sändarens läckström
Pd - Effektavledning
Paket/låda
Minsta drifttemperatur
Maximal drifttemperatur
Förpackning
Infineon Technologies IGBT-moduler 3300 V, 450 A dual IGBT module
Datablad
4På lager
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT-moduler XHP HV
Datablad
Ledtid för icke lagerfört 13 Veckor
Min.: 1
Multipla: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray