Det verkar som att du har inaktiverat Javascript i din webbläsare. Vissa funktioner på den här sidan kommer inte att fungera, såvida du inte har loggat in.

Gå tillbaka till sökresultaten

Ser du något fel?

NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 282.31 SEK
Availability: InStock

Bilder är endast för referens
Se produktspecifikationer

Mouser nr:

863-NVH4L020N090SC1

Tillverk: Nr.:

NVH4L020N090SC1

Tillverk:

onsemi

Beskrivning:

SiC-MOSFET:ar SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Datablad:

NVH4L020N090SC1 Datablad

ECAD-modell:

Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Mer information

Lär dig mer om onsemi NVH4L020N090SC1

På lager: 450

Lager:: 450 Kan skickas omedelbart

Ett oväntat fel har inträffat. Försök igen senare.
Fabrikens ledtid:: 13 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.

Partier som är större än 450 kommer att omfattas av ett krav på minimibeställning.

Ange kvantitet:

Minst: 1 Flera: 1

Enhetspris:

-,-- kr

Ext. pris:

-,-- kr

Est. Pris:

Prissättning (SEK)

Antal	Enhetspris	Ext. pris
	282,31 kr	282,31 kr
	226,83 kr	2.268,30 kr

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributvärde	Välj attribut
Tillverkare:	onsemi
Produktkategori:	SiC-MOSFET:ar
RoHS-direktivet:
Paket/låda:	TO-247-4
Handelsnamn:	EliteSiC
Märke:	onsemi
Förpackning:	Tube
Produkttyp:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L020N090SC1
Fabriksförpackningskvantitet:	30
Underkategori:	Transistors
Teknologi:	SiC

Hittade produkter:

Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter

Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.

Attribut som valts: 0

Filtrera dokument:

Datablad

NVH4L020N090SC1 Datablad

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
ECCN:: EAR99

900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability than silicon. Also, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).