QPD1035 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1035 GaN RF Power Transistors are 40W discrete GaN on SiC HEMTs operating from DC to 6GHz with a 50V supply. The Qorvo QPD1035 transistors feature an input pre-match, making it ideal for broadband amplifiers in pulsed and CW operations. The devices are lead-free and RoHS-compliant.

Resultat: 2
Välj Bild Artikelnummer Tillverk: Beskrivning Datablad Tillgänglighet Prissättning: (SEK) Filtrera resultaten i tabellen efter enhetspris baserat på din kvantitet. Antal RoHS ECAD-modell Monteringsstil Minsta drifttemperatur Maximal drifttemperatur Pd - Effektavledning
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz 46På lager
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W
Qorvo GaN FET 30W, DC - 6GHz, Flanged
100På beställningen
Min.: 1
Multipla: 1
Papprulle: 50

Flanged - 40 C + 85 C 50.4 W