STGHU30M65DF2AG

STMicroelectronics
511-STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG

Tillverk:

Beskrivning:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Livscykel:
Ny produkt:
Nytt från denna tillverkare.
ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

På lager: 540

Lager:
540
Kan skickas omedelbart
På beställningen:
600
Förväntad 2026-04-20
Fabrikens ledtid:
15
Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken för kvantiteter som är större än vad som visas.
Minst: 1   Flera: 1
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Förpackning:
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
Skärtejp/MouseReel™
41,53 kr 41,53 kr
27,58 kr 275,80 kr
19,51 kr 1.951,00 kr
Komplett Papprulle (beställ i multiplar av 600)
15,70 kr 9.420,00 kr
15,15 kr 18.180,00 kr
† 58,00 kr MouseReel™-avgiften kommer att läggas till och beräknas i din kundvagn. MouseReel™-beställningar kan inte avbeställas eller returneras.

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
STMicroelectronics
Produktkategori: IGBTs
RoHS-direktivet:  
Si
HU3PAK-7
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
20 V
87 A
441 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Märke: STMicroelectronics
Kontinuerlig kollektorström IC max.: 57 A
Gate-sändarens läckström: 250 nA
Produkttyp: IGBTs
Fabriksförpackningskvantitet: 600
Underkategori: Transistors
Enhetens vikt: 2,320 g
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT

STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automotive-Grade IGBT is developed using an advanced trench gate field stop structure. The STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG offers an ideal balance of inverter performance and efficiency, with low power loss and short-circuit protection. The positive VCE(sat) temperature coefficient and consistent parameter distribution enhance safe paralleling operation.