QPD1029L

Qorvo
772-QPD1029L
QPD1029L

Tillverk:

Beskrivning:
GaN FET 1.2-1.4GHz,1500W,65V,GaN RF I/P-Mtchd Tr

ECAD-modell:
Ladda ned den kostnadsfria Libary Loader för att omvandla denna fil för ditt ECAD-verktyg. Läs mer om ECAD-modellen.

Tillgänglighet

Lager:
Ej på lager
Fabrikens ledtid:
20 Veckor Uppskattad tillverkningstid i fabriken.
Minst: 18   Flera: 18
Enhetspris:
-,-- kr
Ext. pris:
-,-- kr
Est. Pris:
Denna produkt levereras UTAN KOSTNAD

Prissättning (SEK)

Antal Enhetspris
Ext. pris
19 717,45 kr 354 914,10 kr

Produktattribut Attributvärde Välj attribut
Qorvo
Produktkategori: GaN FET
RoHS-direktivet:  
Märke: Qorvo
Maximal driftsfrekvens: 1.4 GHz
Minsta driftfrekvens: 1.2 GHz
Fuktkänsliga: Yes
Utgångseffekt: 1.5 kW
Förpackning: Waffle
Produkttyp: GaN FETs
Serie: QPD1029L
Fabriksförpackningskvantitet: 18
Underkategori: Transistors
Teknologi: GaN
Transistortyp: HEMT
Hittade produkter:
Markera minst en kryssruta för att visa liknande produkter
Markera minst en kryssruta ovan för att visa liknande produkter i denna kategori.
Attribut som valts: 0

Denna funktion kräver att Javascript är aktiverat.

USHTS:
8541497080
ECCN:
EAR99

QPD1029L GaN RF IMFET Transistor

Qorvo QPD1029L GaN RF Internally Matched FET (IMFET) Transistor is a 1500W (P3dB) discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistor (HEMT). This RF IMFET operates between a 1.2GHz to 1.4GHz frequency range. The QPD1029L transistor provides ease of external board match and saves board space. This Qorvo transistor is a RoHS-compliant device. The QPD1029L IMFET transistor device is used in an industry-standard air cavity package and is ideally suited for radar.